三菱电机宣布，该公司于2010年8月24日发布的、预定于2010年10月下旬上市的10款空调产品中的两款首次采用了基于SiC功率半导体的逆变器模块。由此三菱电机部分提前了预定在2011年度开始的SiC功率半导体的量产时间。

    三菱电机表示，与所有硅基产品相比，该逆变器模块的开关损耗小约60％。三菱电机计划在不久的将来把IGBT全部换成SiC功率半导体，而且不仅是逆变器，还将在底板上的转换器中采用SiC功率半导体。据该公司介绍，“如果这些产品全部采用SiC功率半导体的话，底板的功率模块部分的尺寸将减至目前的1/2大小”。